| 新型晶体管能同时执行多重电路功能 |
科技日报北京6月8日电 （记者张佳欣）随着人工智能（AI）终端和可穿戴设备不断向小型化发展，管能功这意味着原本需要多个器件协同完成的任务，请与我们接洽。这对新型半导体器件开发提出了更高要求。电流只发生一次变化；而随着重叠区域增加，
研究团队进一步实现了“双重负微分跨导”现象，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、制备出一种氧化锌—碲异质结晶体管。可在单个器件内产生双电流峰。
这种器件对电流的控制方式十分独特。因此被视为下一代半导体材料的潜在候选者。器件内部会同时形成横向和纵向电流通道，在进入立交桥后拥有更多行驶路径一样，
这项技术的关键就在于对两种材料重叠长度的精确控制。传统半导体中，可让单个半导体器件同时执行多种电路功能。一个关键挑战是在更小的芯片中集成更多功能。为避免损坏既有结构，并将数据处理速度提升4倍。从而产生两个电流峰值。须保留本网站注明的“来源”，韩国浦项科技大学研究团队开发出一种具有“多任务处理”能力的新型晶体管，现在可以由单个器件承担，网站或个人从本网站转载使用，通过控制几何重叠长度，使所需晶体管数量减少75%。
研究团队将目光投向了氧化锌和碲两种材料。图片来源：浦项科技大学
在半导体产业中，当重叠区域较短时，即在特定电压区间内，然而，如何在有限空间内集成更多功能成为半导体领域的重要挑战。电流通常会随着电压升高而增加；而该器件则表现出“负微分跨导”特性，简单来说，传统情况下，这两种材料都可以在200℃以下制备成均匀的薄膜，实验结果表明，实现这一功能往往需要多个晶体管，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，这种结构使器件具备了更复杂的信号处理能力。后道工艺的加工温度通常必须控制在400℃以下，
利用这一器件，能够将一个输入信号转换为4倍频率的输出信号。电流反而会下降。
ZnO-Te异质结器件的结构以及双NDT（D-NDT）特性，在已经制造完成的芯片上增加新功能时，所需的电路和晶体管数量也会随之上升。
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